Математический расчет электрического поля скрытого изображения

Нейгебауер, используя «метод изображений», нашел выражения в виде ряда для поля линейных и круговых электростатических изображений. Мацца предложил метод определения поля при синусоидальном распределении зарядов. Этот метод позволяет использовать для анализа поля скрытого изображения решения уравнения Лапласа, что значительно упрощает математические выкладки и расчеты. Сначала рассмотрим природу электростатического изображения на ксерографической слое, т. е. на аморфном селене. Рассмотрим затем действие, оказываемое на поле изображения плоским параллельным электродом, который расположен близко к поверхности изображения, и влияние диэлектрической пленки (или покрытия) на селеновом слое. Во всех трех случаях электростатическое изображение состоит из серий параллельных линий с синусоидальным изменением заряда в плоскости, перпендикулярной этим линиям. Пусть ось х параллельна линиям скрытого изображения так же, как перпендикулярная ей ось у расположена в плоскости этого изображения; тогда плотность поверхностного заряда о будет изменяться по следующему закону: Выводы выражений для напряженности поля, потенциала и для построения силовых линий для такого распределения зарядов представлены в приложениях А и Б в конце данного раздела. Для того же значения постоянной (F = 1,72) были построены поля для нескольких значений толщин диэлектрического слоя и двух пространственных длин волн: X = 10 и 100 мк.

Комментарии запрещены.